Name: onsemi NTD4865N-35G
Brand: onsemi
SKU: NTD4865N-35G
Availability: InStock
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onsemi NTD4865N-35G

Artikelnummer:

NTD4865N-35G

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK

Datenblätte:

1.NTD4865N-35G.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Multiple Devices 13/Apr/2009.pdf onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf NTD4865N.pdf

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RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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PayPal / Credit Card / T/T

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi NTD4865N-35G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTD4865N-35G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	I-Pak
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.9mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	827 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.5A (Ta), 44A (Tc)
Grundproduktnummer	NTD48
NTD4865N-35G Einzelheiten PDF [English]	NTD4865N-35G PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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